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簡(jiǎn)要描述：InfraRed Associates 碲化銦探測(cè)器Infrared 銻化銦探測(cè)器通過使用單晶材料臺(tái)面技術(shù)形成p-n結(jié)。這個(gè)過程產(chǎn)生最高質(zhì)量的光電二極管而顯示出在1μm至5.5μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)優(yōu)良的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）的探測(cè)器，其性能可以通過空間來增強(qiáng)（冷卻FOV stops）或頻譜（冷卻干擾濾波器）背景的減少。
產(chǎn)品型號(hào)：IS-1.0廠商性質(zhì)：代理商更新時(shí)間：2025-06-05訪 問 量：392
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詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
InfraRed Associates 碲化銦探測(cè)器
Infrared 銻化銦探測(cè)器通過使用單晶材料臺(tái)面技術(shù)形成p-n結(jié)。這個(gè)過程產(chǎn)生最高質(zhì)量的光電二極管而顯示出在1μm至5.5μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)優(yōu)良的電光性能。這些二極管是背景限制（BLIP）的探測(cè)器，其性能可以通過空間來增強(qiáng)（冷卻FOV stops）或頻譜（冷卻干擾濾波器）背景的減少。
光伏效應(yīng)是當(dāng)適當(dāng)波長(zhǎng)的輻射入射到p-n結(jié)上時(shí)，p-n結(jié)上產(chǎn)生的電勢(shì)。當(dāng)光子通量照射結(jié)時(shí)，如果光子能量超過禁帶能量，就會(huì)形成電子-空穴對(duì)。
電場(chǎng)將電子從p區(qū)掃向n區(qū)，空穴從n區(qū)掃向p區(qū)。該過程使p區(qū)為正，n區(qū)為負(fù)，并在外部電路中產(chǎn)生電流。InSb探測(cè)器的等效電路如下所示。這包括一個(gè)信號(hào)和噪聲電流發(fā)生器，與一個(gè)電阻和電容項(xiàng)并聯(lián)。
當(dāng)背景輻射通過在有源元件中產(chǎn)生恒定輸出而改變工作曲線時(shí)，探測(cè)器應(yīng)反向偏置，使其回到優(yōu)良工作點(diǎn)：零電壓。
這可以通過使用匹配的前置放大器（如我們的IAP-1000IS）來實(shí)現(xiàn)。探測(cè)器前置放大器系統(tǒng)在探測(cè)器噪聲限制模式下工作。需要雙輸出電源。
熱成像
熱追蹤制導(dǎo)
輻射計(jì)
光譜儀
FTIR
Infrared 銻化銦探測(cè)器主要型號(hào)：
InfraRed Associates 碲化銦探測(cè)器
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